Andrei Sarua
Untersuchungen optischer Eigenschaften von porösen Strukturen auf der Basis von III-V-Halbleiterverbindungen
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Hinweis
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http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:105-5184793
Kurzfassung in Deutsch
In der Arbeit wurden sowohl optische, als auch Schwingungs- und Struktur-Eigenschaften poröser Strukturen auf der Basis von n-GaP, n-GaAs und n-InP mit Hilfe der Raman- und FTIR- Spektroskopie untersucht. Speziell den in polaren Materialien auftretenden Fröhlich-Moden wurde dabei besondere Aufmerksamkeit gewidmet. Es wurden experimentelle Ergebnisse theoretischen Modellen auf der Basis der Effektiven Medien Theorie gegenübergestellt. Die Ergebnisse sollen helfen, Grundkenntnisse über die Eigenschaften poröser Halbleiterstrukturen zu gewinnen, um zum einen Anwendungsmöglichkeiten zu erschließen und zum anderen das theoretische Modell zur Beschreibung heterogener Medien zu vervollkommnen.
weitere Metadaten
| Schlagwörter (Deutsch) | poröse Halbleiter, III-V Halbleiter, elektrochemisches Ätzen, Raman, FTIR, SEM, Halleffekt, Effektive Medien Theorie, effektive dielektrische Funktion |
| DDC Klassifikation | 530 |
| RVK Klassifikation | UM 3300, UP 5110, UP 3050 |
| Institution(en) | |
| Hochschule | TU Bergakademie Freiberg |
| Fakultät | Chemie und Physik |
| Betreuer | Prof. Dr. rer. nat. habil. J. Monecke Prof. Dr. habil. I. M. Tiginyanu |
| Gutachter | Prof. Dr. rer. nat. habil. J. Monecke Prof. Dr. habil. I. M. Tiginyanu Prof. Dr. rer. nat. habil. W. Siegel |
| Dokumententyp | Dissertation |
| Sprache | Deutsch |
| Tag d. Einreichung (bei der Fakultät) | 12.09.2000 |
| Tag d. Verteidigung / Kolloquiums / Prüfung | 17.11.2000 |
| Veröffentlichungsdatum (online) | 10.12.2009 |
| persistente URN | urn:nbn:de:swb:105-5184793 |