Kay Hellig

Untersuchung tiefer Stoerstellen in Zinkselenid

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http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-199700176

Kurzfassung in Deutsch

Das Halbleitermaterial Zinkselenid (ZnSe) wurde mit Deep
Level Transient Spectroscopy (DLTS) untersucht. Fuer planar
N-dotierte, MO-CVD-gewachsene ZnSe-Schichten auf p-GaAs
wurden vorwiegend breite Zustandsverteilungen, aber auch
tiefe Niveaus gefunden. In kristallin gezuechtetem,
undotiertem ZnSe wurden tiefe Stoerstellen nachgewiesen.

weitere Metadaten

Schlagwörter
Defekte
Schlagwörter
Stoerstellen
Schlagwörter
tiefe Zentren
Schlagwörter
Deep Level Transient Spectroscopy
Schlagwörter
ZnSe
SWD SchlagworteDLTS
SWD SchlagworteZinkselenid
DDC Klassifikation530
Institution(en) 
HochschuleTU Chemnitz
FakultätFakultät für Naturwissenschaften
DokumententypStudienarbeit
SpracheDeutsch
Veröffentlichungsdatum (online)28.03.1997
persistente URNurn:nbn:de:bsz:ch1-199700176

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