Dr. Jens Neuhaeuser

Abscheidung von SiC und SiC + Si auf Kohlenstoffsubstraten und deren chemische Oberflaechenmodifizierung

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Kurzfassung in Deutsch

Systematische Untersuchungen zur Abscheidung von Siliciumcarbid und Siliciumcarbid mit coabgeschiedenem Silicium auf Kohlenstoffsubstraten werden in dieser Arbeit vorgestellt.
Die Abscheidung erfolgte mittels thermischer CVD in einer CH3SiCl3-H2-Ar-Atmosphaere.
Dabei koennen neue Zusammenhaenge zwischen den Schichteigenschaften, wie chemische Zusammensetzung und Struktur, und den Beschichtungsparametern gewonnen werden.
In einem zweiten Schritt kann das coabgeschiedene Silicium durch eine thermische Nitridierung in Siliciumnitrid umgewandelt werden.
Bei dieser Reaktion reagiert auch die Siliciumcarbidschicht zu Siliciumnitrid.
Ueber den Umweg des Titanium-Einbaus in das SiC + Si-Schichtsystem - dabei bilden sich bei der Beschichtungstemperatur Titaniumsilicide - konnte eine Mischschicht angeboten werden, die das coabgeschiedene Silicium selektiv in Siliciumnitrid umwandelt.

weitere Metadaten

Schlagwörter
Methyltrichlorsilan
Schlagwörter
Coabscheidung von Si
Schlagwörter
SiC
Schlagwörter
Thermische CVD
Schlagwörter
Nitridierung
Schlagwörter
Oberflaechenmodifizierung
Schlagwörter
Selektive Hochtemperaturreaktionen
DDC Klassifikation660
DDC Klassifikation600
Institution(en) 
HochschuleTU Chemnitz
FakultätFakultät für Naturwissenschaften
DokumententypDissertation
SpracheDeutsch
Tag d. Einreichung (bei der Fakultät)11.12.1997
Tag d. Verteidigung / Kolloquiums / Prüfung07.10.1997
Veröffentlichungsdatum (online)11.12.1997
persistente URNurn:nbn:de:bsz:ch1-199700458

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