Jose Luis Barzola Quiquia

Szenarien der Strukturbildung in Al100-xÜMx-Legierungen und Halbleitern sowie Konsequenzen daraus für elektronischen Transport

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Kurzfassung in Deutsch

Im Rahmen dieser Arbeit wurden die Strukturbildung in amorphen Al-ÜM-Legierungen, Quasikristallen und amorphen Halbleitern, sowie die Temperatur- und Konzentrationsabhängigkeit der elektrischen Transportgrößen Widerstand und Thermokraft untersucht. Die Legierungen wurden in Form dünner Schichten durch abschreckende Kondensation aus der Dampfphase hergestellt. Die atomare Struktur wurde durch Elektronenbeugung analysiert.

Für die Beschreibung der atomaren Struktur werden der Durchmesser der Fermikugel (im k-Raum) und die Friedel-Wellenlänge (im r-Raum) als interne Skalen benutzt. Nach der Skalierung der atomaren Struktur mit diesen Größen zeigen sich große Ähnlichkeiten zwischen ganz verschiedenen Systemen.

Durch Kombination der Strukturdaten mit elektronischen Transportgrößen ist es möglich, ein bereits bekanntes Szenarium der Strukturbildung, das auf Resonanzen zwischen dem Elektronensystem als Ganzem und der sich bildenten statischen Struktur der Ionen aufgebaut ist, zu erweitern.

Bei der Strukturbildung und ihrem Einfluß auf die elektronischen Transporteigenschaften und die Stabilität der amorphen Phase wird bei den Al-ÜM-Legierungen der Einfluss eines Hybridisierungsmechanismus zwischen den Alp- und den TMd-Elektronen diskutiert.

Für die Beschreibung der atomaren Struktur der Al-ÜM-Legierungen wird außer der schon bekannten sphärisch-periodischen Ordnung ein neuer Typ von Ordnung beobachtet, welcher eine lokale Winkelordnung verursacht. Die sphärisch-periodische und die Winkelordnung lassen sich bei der Untersuchung mit verschiedenen Anlasstemperaturen, insbesondere bei den Proben, die einen kontinuierlichen Übergang von amorpher zu quasikristalliner Phase ausführen, beobachten.

Die sphärisch-periodische Ordnung führt zu einem breiten Pseudogap in der elektronischen Zustandsdichte bei EF , die Winkelkorrelation bei Quasikristallen, durch die relativ weit reichende Ordnung, zu einem scharfen Pseudogap.

Die Änderung der elektronischen Eigenschaften in der amorphen und quasikristallinen Phase als Funktion der Übergangsmetalle aber auch als Funktion der Temperatur kann quantitativ mit dem Konzept der Spektralleitfähigkeit beschrieben werden, das auf zwei Pseudo-Energerielücken an der Fermikante beruht.

Die Resonanz, die zu Winkelkorrelationen führt, wird bei amorphen Halbleitern weiter getestet. Es werden dazu sowohl reine Elemente als auch binäre Legierungen untersucht.

weitere Metadaten

Schlagwörter
Al-ÜM-Legierung
Schlagwörter
Spektralleitfähigkeit
Schlagwörter
Pseudogap
SWD SchlagworteAmorpher Festkörper
SWD SchlagworteQuasikristall
SWD SchlagworteStabilität
SWD SchlagworteStruktur
SWD SchlagworteStrukturbildung
SWD SchlagworteThermokraft
SWD SchlagworteWiderstand
SWD SchlagworteWinkelkorrelation
SWD SchlagworteAmorpher Halbleiter
SWD SchlagworteDünne Schicht
SWD SchlagworteElektronendichte
SWD SchlagworteElektronischer Transport
SWD SchlagworteHume-Rothery-Phase
SWD SchlagworteKristallisation
SWD SchlagwortePlasmon
DDC Klassifikation530
Institution(en) 
HochschuleTU Chemnitz
FakultätFakultät für Naturwissenschaften
GutachterProf. Dr. Peter Häussler
Prof. Dr. Heinrich Solbrig
Prof. Dr. H. Teichler
DokumententypDissertation
SpracheDeutsch
Tag d. Einreichung (bei der Fakultät)30.06.2003
Tag d. Verteidigung / Kolloquiums / Prüfung09.12.2003
Veröffentlichungsdatum (online)21.06.2004
persistente URNurn:nbn:de:swb:ch1-200400867

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