Frank Allenstein

Untersuchungen zum Wachstum dünner NiSi(2-x)Al(x)- und NiSi(2-x)Ga(x)-Schichten auf Si(001)

Dokumente und Dateien

Hinweis

Bitte nutzen Sie beim Zitieren immer folgende Url:

http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200700328

Kurzfassung in Deutsch

Im Rahmen dieser Arbeit wurden erste Untersuchungen zur Herstellung dünner NiSi(2-x)Al(x)- bzw. NiSi(2-x)Ga(x)-Schichten auf Si(001) erbracht.
Dazu wurden Ni-Si-Al-Schichten mittels DC-Magnetron-Sputtern sowie Ni-Si-Ga-Schichten mittels Molekular-Strahl-Epitaxie (MBE) abgeschieden und anschließend in Abhängigkeit von der Herstellungsprozedur in einer RTA-Anlage thermisch behandelt.
Die so entstandenen Reaktionsschichten wurden anschließend mittels RBS charakterisiert, wobei zusätzlich REM-, TEM-, AES-Tiefenprofil- und XRD-Untersuchungen ergänzend genutzt wurden.

Es zeigt sich, dass unabhängig von der Abscheideprozedur bei ausreichend hoher Temper- bzw. Substrattemperatur die thermodynamisch stabilen Endphasen NiSi(2-x)Al(x) bzw. NiSi(2-x)Ga(x) gebildet werden.
Während die Bildungstemperatur bei Festphasenreaktionen ohne Al- bzw. Ga-Zugabe für NiSi2 etwa 700°C beträgt, reduziert sich diese unter Anwesenheit von Al- bzw. Ga-Atomen auf 500°C und darunter.
Dabei scheinen bereits eine Al- bzw. Ga-Konzentration von unter einem Atomprozent als notwendiger Stoffmengenanteil auszureichen.
Befindet sich der Ort der Keimbildung der NiSi(2-x)Al(x)- bzw. NiSi(2-x)Ga(x)-Kristallite an der Grenzfläche zum Si(001)-Substrat, so ist eine Änderung der bevorzugten Wachstumsorientierung von NiSi(2-x)Al(x)(001)[100] || Si(001)[100] bzw. NiSi(2-x)Ga(x)(001)[100] || Si(001)[100] (A-Typ) zu einer NiSi(2-x)Al(x)(220) || Si(001)- bzw. NiSi(2-x)Ga(x)(220) || Si(001)-Vorzugsorientierung festzustellen.
Die dafür notwendige Konzentration von Al- bzw. Ga-Atomen scheint jedoch höher zu sein als die, die für die Erniedrigung der Bildungstemperatur notwendig ist.

weitere Metadaten

Schlagwörter
NiSi(2-x)Al(x)
Schlagwörter
NiSi(2-x)Ga(x)
Schlagwörter
Si(001)
SWD SchlagworteAuger-Spektroskopie
SWD SchlagworteDurchstrahlungselektronenmikroskopie
SWD SchlagworteMolekularstrahlepitaxie
SWD SchlagworteRasterelektronenmikroskop
SWD SchlagworteRutherford Back Scattering
SWD SchlagworteRöntgendiffraktometrie
SWD SchlagworteSchichtenbildung
SWD SchlagworteSputtern
SWD SchlagworteWachstumsprozess
DDC Klassifikation530
Institution(en) 
HochschuleTU Chemnitz
FakultätFakultät für Naturwissenschaften
BetreuerProf. Dr. Hans-Jürgen Hinneberg
GutachterProf. Dr. Hans-Jürgen Hinneberg
Prof. Dr. Walter Hoyer
Prof. Dr. Siegfried Mantl
DokumententypDissertation
SpracheDeutsch
Tag d. Einreichung (bei der Fakultät)09.08.2006
Tag d. Verteidigung / Kolloquiums / Prüfung12.01.2007
Veröffentlichungsdatum (online)22.07.2007
persistente URNurn:nbn:de:swb:ch1-200700328

Hinweis zum Urheberrecht

Diese Website ist eine Installation von Qucosa - Quality Content of Saxony!
Sächsische Landesbibliothek Staats- und Universitätsbibliothek Dresden