Jan N. Klug
Technologie und pysikalische Eigenschaften strahlungsinduzierter Zentren in Silizium
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http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-82228
Kurzfassung in Deutsch
Die Arbeit beschäftigt sich mit der Erzeugung und den Eigenschaften strahlungsinduzierter Defekte in Silizium. Zur Erzeugung der untersuchten Zentren werden Wasserstoff- und Helium-Ionenstrahlen im MeV-Bereich verwendet. Die Untersuchung erfolgt mittels Spreading-Resistance- und temperaturabhängiger Hall-Messungen.
Betrachtet wird zunächst die Erzeugung einer n-Dotierung durch Wasserstoff-Implantation in Abhängigkeit von Implantationsparametern, - bedingungen und dem Ausheilprozess.
Für Helium-bestrahltes Silizium werden die Auswirkungen der Bestrahlung auf Widerstand, Ladungsträgerkonzentration und Beweglichkeit untersucht.
weitere Metadaten
| Schlagwörter (Deutsch) | Halbleiter, Silizium, Defekt, Ionenimplantation, Störstelle, Protonen, Helium |
| Schlagwörter (Englisch) | semiconductor, silicon, defect, ion implantation, center, proton, helium |
| SWD Schlagworte | Silicium |
| SWD Schlagworte | Defekt |
| SWD Schlagworte | Implantation |
| SWD Schlagworte | Störstelle |
| SWD Schlagworte | Halbleiter |
| DDC Klassifikation | 620 |
| DDC Klassifikation | 621 |
| DDC Klassifikation | 537 |
| Institution(en) | |
| Hochschule | TU Chemnitz |
| Fakultät | Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik |
| Betreuer | Prof. Dr.-Ing. Josef Lutz |
| Gutachter | Prof. Dr.-Ing. Josef Lutz Prof. Dr. rer.nat. Andreas Wieck |
| Dokumententyp | Dissertation |
| Sprache | Deutsch |
| Tag d. Einreichung (bei der Fakultät) | 28.07.2011 |
| Tag d. Verteidigung / Kolloquiums / Prüfung | 10.01.2012 |
| Veröffentlichungsdatum (online) | 24.01.2012 |
| persistente URN | urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-82228 |